陸芯IGBT模塊LGM400HF65S4T1A LGM50FFB120C1T1H
產品價格：￥88.00（人民幣）
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商品詳情
新一代Trench Field-Stop技術的650V 10A~200A 系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A 系列IGBT、1700V系列IGBT；通過設計和優化器件的導通壓降Vcesat，開關損耗Eon和Eoff，短路能力Tsc，達到更高功率密度，更優異性能，更強可靠性；完適應于新能源車，電機驅動，高頻電源，感應加熱等各類領域和行業需求。
特點和優勢：
1.優化耐壓終端環，實現IGBT高阻斷電壓，達到工業級和汽車級可靠性標準；
2.控制少子壽命，優化飽和壓降和開關速度，實現安全工作區（SOA）和短路電流安全工作區SCSOA性能優；
3.改善IGBT有源區元胞設計可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應；
4.調節背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實現60um~180um晶圓厚度的大規模量產。
LGM40HF120S2F2A
LGM100HF120S2F1A
LGM100HF120S2F1B
LGM75HF120S2F2
LGM200HF120S4F1A
LGM150HF120S4F2
LGM400HF65S4T1A
LGM50FFB120C1T1H
LGM40FFB120C1T1
LGM240TU120Q1F2
LGM450ML65Q2F2
LGM400HF65S4T1A
LGM600HF65S4T1
LGM150FFB120C2T1M
LGM200SG65S1T1
LGM10PJ120E1T3A
LGM15PJ120E1T3A
LGM50HF120S2F2A
特點和優勢：
1.優化耐壓終端環，實現IGBT高阻斷電壓，達到工業級和汽車級可靠性標準；
2.控制少子壽命，優化飽和壓降和開關速度，實現安全工作區（SOA）和短路電流安全工作區SCSOA性能優；
3.改善IGBT有源區元胞設計可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應；
4.調節背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實現60um~180um晶圓厚度的大規模量產。
LGM40HF120S2F2A
LGM100HF120S2F1A
LGM100HF120S2F1B
LGM75HF120S2F2
LGM200HF120S4F1A
LGM150HF120S4F2
LGM400HF65S4T1A
LGM50FFB120C1T1H
LGM40FFB120C1T1
LGM240TU120Q1F2
LGM450ML65Q2F2
LGM400HF65S4T1A
LGM600HF65S4T1
LGM150FFB120C2T1M
LGM200SG65S1T1
LGM10PJ120E1T3A
LGM15PJ120E1T3A
LGM50HF120S2F2A
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