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KRI 霍爾離子源 eH 200
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH200 是霍爾離子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本設(shè)計(jì)離子源. 霍爾離子源 eH200 適用于小型真空腔內(nèi), 例如研發(fā)分析, 薄膜沉積和離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作簡單是理想的生產(chǎn)工具.
KRI 霍爾離子源 eH 200 技術(shù)參數(shù)：
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型號(hào) |
eH 200 |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 電壓 |
40-300V VDC |
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- 離子源直徑 |
~ 2 cm |
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- 陽極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
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電源控制 |
eHx-3005A |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament or Hollow Cathode |
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- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 陽極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
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- 水冷 |
無 |
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- 底座 |
移動(dòng)或快接法蘭 |
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- 高度 |
2.0' |
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- 直徑 |
2.5' |
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-加工材料 |
金屬 |
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-工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安裝距離 |
6-24” |
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- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Filamentless; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 200 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
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