.jpg "IGBT模塊高壓IGBT電子元器件日本三菱全新原裝PM75CSE120")
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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 型號(hào) | CM75DY-28H | ||
| 材質(zhì) | 硅 | ||
| 批號(hào) | 22 | ||
| 輸入電壓 | 1200V | ||
| 輸出電流 | 400A | ||
| 用途 | 電源模塊 | ||
| 是否進(jìn)口 | 是 | ||
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 加工定制 | 否 | ||
| 工作環(huán)境 | 室內(nèi)式 | ||
| 數(shù)量 | 999 | ||
| 品牌 | 三菱 | ||
上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門(mén)康、西門(mén)子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊，咨詢熱線：。.jpg)
三菱系列：
1 IGBT額定電壓的選擇
三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后，直流電壓的值：
在開(kāi)關(guān)工作的條件下，fGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí)，選擇1 電壓等級(jí)的IGBT。
2 IGBT額定電流的選擇
以30kW器為例，負(fù)載電流約為79A，由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí)，電流過(guò)載，一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi)，承受1.5倍的過(guò)流，擇負(fù)載電流約為 ，建議選擇電流等級(jí)的IGBT。
3 IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)的選擇
的開(kāi)關(guān)頻率一般小于10 kH Z，而在實(shí)際工作的過(guò)程中，fGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大，建議選擇低通態(tài)型IGBT，以30 kW ，逆變頻率小于10kH z的變頻器為例，選擇IGBT的開(kāi)關(guān)參數(shù)見(jiàn)表1。
4 影響IGBT可靠性因素
1）柵電壓。
IGBT工作時(shí)，必須有正向柵電壓，常用的柵驅(qū)動(dòng)電壓值為15～187，用到20V， 而棚電壓與柵極Rg有很大關(guān)系，在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí)， 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值，設(shè)計(jì)合適驅(qū)動(dòng)參數(shù)，保證合理正向柵電壓。因?yàn)镮GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系，正向柵電壓越高，開(kāi)通損耗越小，正向壓降也咯小。
在橋式電路和大功率應(yīng)用情況下，為了避免干擾，在IGBT關(guān)斷時(shí)，柵極加負(fù)電壓，一般在-5- 15V，保證IGBT的關(guān)斷，避免Miller效應(yīng)影響。
2）Miller效應(yīng)。
為了降低Miller效應(yīng)的影響，在IGBT柵驅(qū)動(dòng)電路中采用改進(jìn)措施：（1）開(kāi)通和關(guān)斷采用不同柵電阻Rg,on和Rg,off，確保IGBT的有效開(kāi)通和關(guān)斷；（2）柵源間加c，對(duì)Miller效應(yīng)產(chǎn)生的電壓進(jìn)行能量泄放；（3）關(guān)斷時(shí)加負(fù)柵壓。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，采用三者合理組合，對(duì)改進(jìn)Mille r效應(yīng)的效果更佳。
5 結(jié)束語(yǔ)
（1）IGBT是逆變器主要使用的主要功率開(kāi)關(guān)器件，也是逆變器中主要工作器件，合理選擇IGBT是保證IGBT可靠工作的前提，同時(shí)，要根據(jù)三相逆變電路結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，選擇低通態(tài)型IGBT為佳。
