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二、 LED 藍寶石基板薄化研磨製程取代研磨拋光上蠟製程
三、四次元 LED 矽晶片薄化製程
一般四次元薄化較容易產生破片，主要原因為四次圓加工過程較容易產生污染顆粒導致研磨膜破片，在未加工貼膜時，熱解膠膜因膠能埋住這些顆粒汙染物讓破片率降低1.本產品應用在集成電路封裝工藝的硅片切割及后續運輸工序
2.保持晶粒在切割中的完整，（無任何晶粒流失）減少切割中所產生的崩碎
3.確保晶粒在正常傳送過程中,不會有位移、掉落的情形，水不會滲入晶粒與膠 帶之間
4.不會有殘膠的現象
5.具有適當的擴張性 -
【產品用途】
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1. 用于MLCC/MLCI分切定位；
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2. 用于小、精、貼片電子元器件加工定位；
3. 用于精密元器件加工、臨時定位；
4. 電路板安裝零部件定位；
5. 環形壓敏電阻等電子元器件定位印刷；
6. 可替代藍膜加工定位；
7. 硅晶片研磨加工定位；
8. SAWING加工用；
9. 高端銘牌定位切割等
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應用：
用於各種暫時性粘貼固定之製程，待完成加工製程或製成半成品後再以加熱的方式去除膠膜
一、 電子及光電產業部件製作加工工程:
1、LCD 或觸控面板玻璃研磨拋光、LED 切割研磨拋光、MLCC 切割、二極體、電感、半導體固黏 Chip…等晶片之暫時性固定以利進行研磨、切割、固黏 Chip、加熱固定以及保護 Chip電路或板面避免刮傷
2、 觸控面板製程
玻璃與玻璃間之黏著，製程中會經過兩次烤爐加溫 (封閉 Chamber )，並於兩次烤爐中間會經過 KOH (鹼性) 及 DIW 噴灑或浸泡。首次烤爐溫度目前設定 110 ℃ 5min，次烤爐溫度目前設定 120 ℃ 4min ，故此膠帶希望可以於首次烤爐後，仍保留相當黏著力，以防止經過液體噴灑或浸泡時脫落。，並於第二次烘烤後，可輕易剝離。 此膠體除了熱剝溫度及耐鹼、水性之外，厚度更是考量因素。 因設備需求，膠體厚度，希望可於 50um 已內，厚度均勻性 ± 10%。
